• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >The fabrication of metal silicide nanodot arrays using localized ion implantation
【24h】

The fabrication of metal silicide nanodot arrays using localized ion implantation

机译：使用局部离子注入制备金属硅化物纳米点阵列

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We propose a process for fabricating nanodot arrays with a pitch size of less than 25 nm. The process consists of localized ion implantation in a metal thin film on a Si wafer using a focused ion beam (FIB), followed by chemical etching. This process utilizes the etching resistivity changes of the ion beam irradiated region that result from metal silicide formation by ion implantation. To control the nanodot diameter, a threshold ion dose model is proposed using the Gaussian distribution of the ion beam intensities. The process is verified by fabricating nanodots with various diameters. The mechanism of etching resistivity is investigated via x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and Auger electron spectroscopy (AES).
机译：我们提出了一种制造间距小于25 nm的纳米点阵列的方法。该工艺包括使用聚焦离子束（FIB）在Si晶片上的金属薄膜中进行局部离子注入，然后进行化学蚀刻。该工艺利用了由于离子注入而形成金属硅化物而导致的离子束照射区域的蚀刻电阻率变化。为了控制纳米点的直径，提出了使用离子束强度的高斯分布的阈值离子剂量模型。通过制造各种直径的纳米点可以验证该过程。通过X射线光电子能谱（XPS）和俄歇电子能谱（AES）研究了蚀刻电阻率的机理。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号