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Optical reflectivity from highly disordered Si nanowire films

机译：高无序Si纳米线薄膜的光反射率

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In this work we present a study of the reflectivity from highly disordered silicon nanowire films as a function of the wire size. Arrays of Au-catalyzed Si wires with length and diameter ranging from 0.15-0.2 μm and 30-50 nm up to 20-25 μm and 200-250 nm, respectively, were grown on top of either SiO _2(1 μm)/Si(100) or Si(100) substrates. The integrated total reflection was measured in the 190-2500 nm spectral range. The results show that, increasing the wire size, the optical behavior of the Si wire film can be gradually tuned from that of an optical coating characterized by a graded effective refractive index to that of an ensemble of diffuse optical reflectors. In addition, we show how the optical analysis provides some important indications concerning the structural properties of the nanowires.
机译：在这项工作中，我们提出了对高度无序的硅纳米线薄膜的反射率与线径的关系的研究。在SiO _2（1μm）/ Si的顶部生长长度分别为0.15-0.2μm和30-50 nm至20-25μm和200-250 nm的金催化的硅线阵列（100）或Si（100）基板。积分全反射是在190-2500 nm光谱范围内测量的。结果表明，随着线径的增加，Si线膜的光学性能可以从以渐变的有效折射率为特征的光学涂层到扩散光学反射器整体的光学涂层中逐渐改变。此外，我们展示了光学分析如何提供有关纳米线结构特性的一些重要指示。

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