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Temperature effect on the substrate selectivity of carbon nanotube growth in floating chemical vapor deposition

机译:温度对浮动化学气相沉积中碳纳米管生长的基底选择性的影响

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摘要

An easy approach to control the carbon nanotube ( CNT) array selectivity on Si/ SiO2 in the floating chemical vapor deposition ( CVD) method by adjusting the operation temperature is demonstrated. Aligned CNTs can be obtained directly on Si using a standard procedure at a relatively low temperature. After analyzing the temperature influence on different substrates, an attempt to grow an ultra- long CNT forest at the optimized temperature and without any feedstock diffusion limitation is discussed.
机译:演示了一种通过调节操作温度来控制在浮动化学气相沉积(CVD)方法中控制Si / SiO2上的碳纳米管(CNT)阵列选择性的简便方法。可以在相对较低的温度下使用标准程序直接在Si上获得取向的CNT。在分析了温度对不同基材的影响后,讨论了在最佳温度下生长超长CNT林且没有任何原料扩散限制的尝试。

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