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Nanofabrication of a sub-wavelength size aperture using anisotropic inductively coupled plasma processing

机译：使用各向异性感应耦合等离子体处理的亚波长尺寸孔径的纳米加工

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We successfully fabricated a nano-size silicon oxide aperture using inductively coupled plasma (ICP) anisotropic etching as a potential near-field optical probe application. Several other anisotropic semiconductor processes were also utilized for sub-wavelength size aperture fabrication. Initially, a 2 mu m size dot array was photolithographically patterned on an Si(100) wafer. After the formation of a hollow pyramid by anisotropic KOH etching, stress-dependent oxide growth was performed at 1000 deg C to give an oxide etch-mask for dry etching. Reactive ion etching by 100 W, 9 mTorr, 40 sccm C1_2 feed gas using the ICP system with a negatively biased substrate was performed in order to fabricate the nano-size aperture. After etching at the bias voltages of 500 and 540 V, the diameter of the aperture was measured to be approx 120 and approx 200 nm, respectively. Finally, the oxide aperture with a sub-wavelength size diameter was obtained after Si bulk micromachining.
机译：我们使用感应耦合等离子体（ICP）各向异性蚀刻作为潜在的近场光学探针应用成功地制造了纳米尺寸的氧化硅孔径。几种其他的各向异性半导体工艺也被用于亚波长尺寸孔径的制造。最初，在Si（100）晶圆上用光刻技术将2微米大小的点阵列进行光刻。在通过各向异性KOH蚀刻形成空心金字塔之后，在1000℃下进行应力依赖的氧化物生长，以提供用于干蚀刻的氧化物蚀刻掩模。使用具有负偏压基板的ICP系统，通过100 W，9 mTorr，40 sccm C1_2进料气进行反应性离子蚀刻，以制造纳米尺寸的孔径。在500和540V的偏置电压下蚀刻之后，测得的孔的直径分别为约120nm和约200nm。最后，在Si本体微加工之后获得具有亚波长尺寸直径的氧化物孔。

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