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【24h】

Ultra-narrow emission from single GaAs self-assembled quantum dots grown by droplet epitaxy

机译：液滴外延生长的单个GaAs自组装量子点的超窄发射

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We realized ultra-narrow excitonic emission from single GaAs/AlGaAs quantum dots (QDs) grown by a refined droplet epitaxy technique. We found that uncapped quantum dots can be annealed at 400 degrees C without major changes in their morphology, thus enabling an AlGaAs capping layer to be grown at that temperature. Consequently, we demonstrate a fourfold reduction of the linewidth of the emission together with an increased recombination lifetime, compared to the conventional droplet epitaxial QDs. The averaged linewidth of neutral excitons measured by micro-photoluminescence on single quantum dots was around 35 mu eV.
机译：我们实现了通过精细液滴外延技术生长的单个GaAs / AlGaAs量子点（QD）产生的超窄激子发射。我们发现未封盖的量子点可以在400摄氏度下进行退火，而其形态没有重大变化，因此可以使AlGaAs覆盖层在该温度下生长。因此，与传统的液滴外延QD相比，我们证明了发射线宽减少了四倍，并且复合寿命增加了。通过微光致发光在单个量子点上测得的中性激子的平均线宽约为35μeV。

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