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Sn doped GeO2 nanowires with waveguiding behavior

机译：具有波导行为的Sn掺杂GeO2纳米线

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Sn doped GeO2 nanowires and microwires have been grown by an evaporation-deposition method, using a mixture of Ge and SnO2 powders as precursors. Comparison with undoped GeO2 nanowires grown by the same method shows that the presence of Sn prevents the formation of sharp bends, which makes the wires more suitable for waveguiding applications. Incorporation of about 0.5 at.% of Sn into the wires influences their morphology and gives rise to wires showing two different cross-sectional dimensions along the growth axis. Sn does not influence the luminescence spectra in the visible range but causes the appearance of emission bands in the near-infrared range. The waveguiding behavior of the Sn doped wires for green and red laser light has been demonstrated.
机译：使用Ge和SnO2粉末的混合物作为前驱体，通过蒸发沉积法生长了掺Sn的GeO2纳米线和微线。与通过相同方法生长的未掺杂GeO2纳米线的比较表明，锡的存在阻止了急剧弯曲的形成，这使这些线更适合于波导应用。导线中掺入约0.5 at。％的Sn会影响其形态，并导致导线沿生长轴显示出两个不同的横截面尺寸。 Sn不影响可见光范围内的发光光谱，但会导致在近红外范围内出现发射带。已经证明了用于绿色和红色激光的Sn掺杂导线的波导行为。

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