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The fabrication and characterization of organic light-emitting diodes using transparent single-crystal Si membranes

机译：使用透明单晶硅膜的有机发光二极管的制备和表征

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For applications such as solar cells and displays, transparent single-crystal Si membranes were fabricated on a silicon-on-insulator (SOI) wafer. The SOI wafer included a buried layer of SiO2 and Si3N4 as an etch-stop layer. The etch-stop layer enabled fabrication of transparent single-crystal Si membranes with various thicknesses, and the thinning technology is described. For membranes with thicknesses of 18, 72 and 5000 nm, the respective optical transparent were 96.9%, 93.7% and 9% for R (red, lambda = 660 nm), 96.9%, 91.4% and 1% for G (green, lambda = 525 nm), and 97.0%, 93.2% and 0% for B (blue, lambda = 470 nm). Organic light-emitting diodes (OLEDs) were then fabricated on transparent single-crystal Si membranes with various top Si thicknesses. OLEDs fabricated on 18, 72 and 5000 nm thick membranes and operated at 6 V demonstrated a luminance of 1350, 443 and 27 cd m(-2) at the current densities of 148, 131 and 1.5 mA cm(-2), respectively.
机译：对于诸如太阳能电池和显示器的应用，在绝缘体上硅（SOI）晶圆上制造透明的单晶Si膜。该SOI晶片包括SiO 2和Si 3 N 4的掩埋层作为蚀刻停止层。蚀刻停止层使得能够制造具有各种厚度的透明单晶硅膜，并且描述了薄化技术。对于厚度分别为18、72和5000 nm的膜，R（红色，λ= 660 nm）的相应光学透明性分别为96.9％，93.7％和9％，G（绿色，λ为96.9％，91.4％和1％） ＝ 525nm），以及对于B（蓝色，λ＝ 470nm）为97.0％，93.2％和0％。然后在具有各种顶部硅厚度的透明单晶硅膜上制造有机发光二极管（OLED）。在18、72和5000 nm厚的膜上制造并在6 V下工作的OLED在电流密度分别为148、131和1.5 mA cm（-2）时分别显示出1350、443和27 cd m（-2）的亮度。

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