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The structural and optical properties of SiO2/Si rich SiNx multilayers containing Si-ncs

机译：含Si-ncs的SiO2 / Si富SiNx多层膜的结构和光学性质

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This work reports on the structural and optical properties of multilayers composed of silicon dioxDEe (SiO2) and silicon rich silicon nitrDEe ( SRN) films. These nanometer scale layers have been alternately deposited by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition (ECR-PECVD) on quartz and silicon ( Si) substrates. The samples have then been annealed at high temperature in order to obtain a crystallization of the Si atoms present in excess in the SRN films. The formation of crystalline Si has been witnessed by high resolution transmission electron microscopy (HREM) and mu-Raman measurements. Estimation of the Si-nanocrystal (Si-nc) sizes was possible by correlating the Raman's confinement model, the photoluminescence measurements and HREM imaging. The results clearly show that the band-gap of the Si-ncs formed can be controlled by this multilayer approach.
机译：这项工作报告了由二氧化硅（SiO2）和富硅氮化硅（SRN）膜组成的多层的结构和光学性质。这些纳米级层已经通过电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积（ECR-PECVD）交替沉积在石英和硅（Si）基板上。然后将样品在高温下退火，以获得SRN膜中过量存在的Si原子的结晶。高分辨率透射电子显微镜（HREM）和mu-Raman测量已见证了晶体硅的形成。通过关联拉曼约束模型，光致发光测量值和HREM成像，可以估计Si纳米晶体（Si-nc）的大小。结果清楚地表明，可以通过这种多层方法来控制形成的Si-ncs的带隙。

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