• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >Heterostructures of germanium nanowires and germanium-silicon oxide nanotubes and growth mechanisms
【24h】

Heterostructures of germanium nanowires and germanium-silicon oxide nanotubes and growth mechanisms

机译：锗纳米线和锗硅氧化物纳米管的异质结构及其生长机理

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We report on a method to fabricate one-dimensional heterostructures of germanium nanowires (GeNWs) and germanium—silicon oxide nanotubes (GeSiO,NTs). The synthesis of the wire—tube heterostructures is carried out using a simple furnace set-up with germanium tetraiodide and germanium powders as growth precursors, gold-dotted silicon wafers as substrates and by controlling the temperature ramp rate/sequence of the growth precursors. Two types of wire—tube heterostructures resulting from distinct growth mechanisms are obtained.The type-1 heterostructure consists of a GeNW, grown via a gold-catalyzed vapour—liquid—solid process, at the lower end and a GeSiO,NT at the upper end. In contrast, the type-2 heterostructure is made up of a solid wire at the upper end and a hollow tube at the lower end.The solid wire portion of the type-2 heterostructure is formed through an oxide-assisted growth process.
机译：我们报告了一种制造锗纳米线（GeNWs）和锗-氧化硅纳米管（GeSiO，NTs）的一维异质结构的方法。线-管异质结构的合成是使用简单的炉子装置进行的，其中以四碘化锗和锗粉为生长前驱体，点金的硅片为衬底，并控制温度上升速率/生长前驱体的顺序。获得了两种由不同的生长机理导致的线-管异质结构。1型异质结构由通过金催化的气-液-固过程在下端生长的GeNW和在上端的GeSiO，NT组成。结束。相比之下，2型异质结构由上端的实心线和下端的空心管组成.2型异质结构的实心线部分是通过氧化物辅助生长工艺形成的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号