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【24h】

Aligned carbon nanotubes for nanoelectronics

机译：纳米电子用取向碳纳米管

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摘要

We discuss the central issues to be addressed for realizing carbon nanotube (CNT) nanoelectronics. We focus on selective growth, electron energy bandgap engineering and device integration. We have introduced a nanotemplate to control the selective growth, length and diameter of CNTs. Vertically aligned CNTs are synthesized for developing a vertical CNT-field effect transistor (FET). The ohmic contact of the CNT/metal interface is formed by rapid thermal annealing. Diameter control, synthesis of Y-shaped CNTs and surface modification of CNTs open up the possibility for energy bandgap modulation. The concepts of an ultra-high density transistor based on the vertical-CNT array and a nonvolatile memory based on the top gate structure with an oxide-nitride-oxide charge trap are also presented. We suggest that the deposited memory film can be used for the quantum dot storage due to the localized electric field created by a nano scale CNT-electron channel.
机译：我们讨论实现碳纳米管（CNT）纳米电子学要解决的中心问题。我们专注于选择性生长，电子能带隙工程和器件集成。我们已经引入了纳米模板来控制CNT的选择性生长，长度和直径。合成垂直排列的CNT，以开发垂直CNT场效应晶体管（FET）。 CNT /金属界面的欧姆接触是通过快速热退火形成的。直径控制，Y形CNT的合成以及CNT的表面改性为能量带隙调制开辟了可能性。还介绍了基于垂直CNT阵列的超高密度晶体管和基于具有氧化物-氮化物-氧化物电荷陷阱的顶栅结构的非易失性存储器的概念。我们建议，由于纳米级CNT电子通道产生的局部电场，所沉积的存储膜可用于量子点存储。

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