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Metal positioning on silicon surfaces using the etching of buried dislocation arrays

机译：使用掩埋位错阵列的蚀刻将金属定位在硅表面上

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Large-area Si(001) nanopatterned surfaces obtained by etching dislocation line arrays have been used to drive the positioning of metallic islands. A method combining wafer bonding of (001) silicon on insulator layers and preferential chemical etching allows controlling the periodicity of square trench arrays in the 20-50nm lateral periodicity range with an accuracy of less than 1nm and a depth of about 4-5nm. The interfacial area containing the dislocation line plane can be removed and a single crystal maintaining the morphological patterning can be obtained. It is shown that oxidized or deoxidized silicon nanopatterned surfaces can drive the positioning of Ni, Au and Ag islands for a 20nm lateral periodicity and that a lateral long range order, directly transferred from the dislocation network, can be obtained in the Ni and Au cases.
机译：通过蚀刻位错线阵列获得的大面积Si（001）纳米图案表面已用于驱动金属岛的定位。结合（001）硅在绝缘体层上的晶片键合和优先化学蚀刻的方法允许以小于1nm的精度和大约4-5nm的深度将方形沟槽阵列的周期控制在20-50nm的横向周期范围内。可以去除包含位错线平面的界面区域，并且可以获得保持形态图案的单晶。结果表明，氧化或脱氧的硅纳米图案表面可以驱动Ni，Au和Ag岛以20nm的横向周期性定位，并且在Ni和Au的情况下，可以直接从位错网络获得横向的长程有序。 。

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