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Luminescence centres in silica nanowires

机译：二氧化硅纳米线中的发光中心

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Three broad cathodoluminescence bands centred at similar to 2.02 eV ( red), similar to 2.78 eV ( blue), and similar to 3.45 eV ( ultraviolet) have been observed from silica nanowires synthesized by thermal evaporation at high temperature. The luminescence intensities of both the red and ultraviolet bands decrease upon electron-beam irradiation, while the intensity of the blue band increases with both irradiation time and specimen temperature. The red, blue, and ultraviolet bands are identified as radiative transitions involving the following centres: nonbridging oxygen hole centres, oxygen-deficient centres, and peroxy linkage. The varying time- and temperature-dependent luminescence intensities can be explained by the mutual transformation of these defects, which is driven by the irradiation- and heat-induced migration and desorption of radiolytic oxygen.
机译：从通过高温热蒸发合成的二氧化硅纳米线中观察到三个宽的阴极发光带，其中心近似于2.02eV（红色），近似于2.78eV（蓝色）和近似3.45eV（紫外线）。电子束辐照时，红色和紫外波段的发光强度均降低，而蓝色带的强度则随辐照时间和样品温度的升高而增加。红色，蓝色和紫外线带被标识为涉及以下中心的辐射跃迁：非桥接氧孔中心，缺氧中心和过氧键。这些与时间和温度相关的发光强度的变化可以通过这些缺陷的相互转化来解释，这些缺陷是由辐照和热诱导的放射性氧迁移和解吸驱动的。

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