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Metallization of ZnO nanowires from partial hydrogen adsorption

机译：部分氢吸附对ZnO纳米线的金属化

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First-principle density functional calculations of [0001] ZnO nanowires demonstrate that exposure of the mixed-terminated {01 (1) over bar0} side surfaces to atomic hydrogen can result in drastic changes of electronic properties. When the dangling bonds of the side surfaces are completely saturated by H atoms, the nanowires are insulating, with band gaps much higher than that of bulk solid. In contrast, the ZnO nanowires with only O atoms saturated by atomic H on the side surfaces are metallic. The physical mechanism for the remarkable changes is discussed. These theoretical results suggest a new way of band engineering ZnO nanowires.
机译：[0001] ZnO纳米线的第一原理密度泛函计算表明，bar0}侧面的混合末端{01（1）暴露于原子氢会导致电子性能的急剧变化。当侧面的悬空键完全被H原子饱和时，纳米线是绝缘的，其带隙远高于块状固体。相反，在侧面上仅具有被原子H饱和的O原子的ZnO纳米线是金属的。讨论了引起显着变化的物理机制。这些理论结果提出了一种带状工程氧化锌纳米线的新方法。

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