Current transport mechanism in a metal-GaN nanowire Schottky diode

Lee SY; Lee SK

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Current transport mechanism in a metal-GaN nanowire Schottky diode

机译：金属GaN纳米线肖特基二极管中的电流传输机制

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We investigated nano-Schottky diodes of gallium nitride nanowires with three Schottky metals (Cr, Ti, and An) using current-voltage characteristics. All of the GaN nano-Schottky diodes showed a rectifying behavior. The abnormal electrical characteristics of a single GaN nanowire Schottky diode can be explained by a thermionic-field emission and an enhancement of the tunneling effects owing to both the relatively high concentration of the GaN nanowire itself and the nanoscale junction size of the GaN nanowire Schottky diodes.

机译：我们使用电流-电压特性研究了具有三种肖特基金属（Cr，Ti和An）的氮化镓纳米线的纳米肖特基二极管。所有的GaN纳米肖特基二极管都表现出整流行为。单个GaN纳米线肖特基二极管的异常电特性可以通过热电子场发射和隧穿效应的增强来解释，这归因于GaN纳米线本身的浓度相对较高以及GaN纳米线肖特基二极管的纳米级结尺寸。。

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来源
《Nanotechnology》 |2007年第49期|共4页
作者
Lee SY; Lee SK;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类一般工业技术;
关键词
N-TYPE GAN; SEMICONDUCTOR INTERFACES; NANOCONTACTS; BARRIERS;

机译：N型GAN;半导体触点;纳米接触;障碍;

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