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Preparation and electrical properties of electrospun tin-doped indium oxide nanowires

机译：电纺锡掺杂氧化铟纳米线的制备及电性能

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Well-aligned tin-doped indium (ITO) nanowires have been prepared using the electrospinning process. The Sn doping mechanism and microstructure have been characterized by x-ray diffraction (XRD) and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Devices for I-V measurement and field-effect transistors (FETs) were assembled using ITO nanowires with top contact configurations. The effect of Sn doping on the electrical conductivity was significant in that it enhanced the conductance by over 10(7) times, up to similar to 1 S cm(-1) for ITO nanowires with an Sn content of 17.5 at.%. The nanowire FETs were operated in the depletion mode with an electron mobility of up to 0.45 cm(2) V-1 s(-1) and an on/off ratio of 10(3).
机译：已经使用电纺丝工艺制备了取向良好的掺锡铟（ITO）纳米线。通过X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）表征了Sn掺杂机理和微观结构。使用具有顶部触点配置的ITO纳米线组装了用于I-V测量的设备和场效应晶体管（FET）。 Sn掺杂对电导率的影响非常显着，因为它使电导提高了10（7）倍以上，对于Sn含量为17.5 at。％的ITO纳米线，其导电率高达1 S cm（-1）。纳米线FET以耗尽模式操作，电子迁移率高达0.45 cm（2）V-1 s（-1），开/关比为10（3）。

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