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【24h】

A nanoscale scalable memory architecture for molecular electronics Y-H CHOI

机译：用于分子电子学的纳米级可扩展存储器架构

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In this paper, we present a nanoscale memory architecture for molecular electronics. A large memory is designed as a collection of smaller molecular-based crossbar subarrays, each of which realizes a part of the large memory. Redundancies at the row/column level in each subarray and at the subarray level are used to tolerate defects generated during the nanofabrication process. Spare subarrays with address translation in the CMOS layer are used to cope with the expected high rate of defects in chemically fabricated nanocircuits. Molecular crossbars on top of a silicon-based die providing address translation will demonstrate a notable improvement in the scalability of defect-prone molecular memories.
机译：在本文中，我们介绍了用于分子电子学的纳米级存储体系结构。大内存被设计为基于较小分子的交叉开关子阵列的集合，每个子阵列都实现了大内存的一部分。每个子阵列中的行/列级别以及子阵列级别的冗余都被用来容忍在纳米加工过程中产生的缺陷。在CMOS层中具有地址转换的备用子阵列用于应对化学制造的纳米电路中预期的高缺陷率。提供地址转换的基于硅的管芯顶部的分子交叉开关将显示出易于缺陷的分子存储器可扩展性的显着提高。

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