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Experimental demonstration of a defect-tolerant nanocrossbar demultiplexer

机译：容错纳米交叉多路分解器的实验演示

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Ultradense memory and logic circuits fabricated at local densities exceeding 100 x 10(9) cross-points per cm(2) have recently been demonstrated with nanowire crossbar arrays. Practical implementation of such nanocrossbar circuitry, however, requires effective demultiplexing to solve the problem of electrically addressing individual nanowires within an array. Importantly, such a demultiplexer ( demux) must also be tolerant of the potentially high defect rates inherent to nanoscale circuit fabrication. We have built a 50 nm half-pitch nanocrossbar circuit using imprint lithography and configured it for a demux application. Utilizing a class of Hamming codes in the hardware design, we experimentally demonstrate defect-tolerant demux operations on a 12 x 8 nanocrossbar array with up to two stuck-open defects per addressed line.
机译：最近已经用纳米线交叉开关阵列证明了以每平方厘米（2）超过100 x 10（9）交叉点的局部密度制造的超致密存储器和逻辑电路。然而，这种纳米交叉开关电路的实际实现需要有效的解复用以解决电寻址阵列中的各个纳米线的问题。重要的是，这样的多路分解器（多路分解器）还必须容忍纳米级电路制造固有的潜在高缺陷率。我们使用压印光刻技术构建了一个50 nm半节距纳米交叉开关电路，并将其配置为多路复用应用。在硬件设计中使用一类汉明码，我们通过实验证明了在12 x 8纳米交叉阵列上具有容错功能的多路复用操作，每条寻址线最多可有两个卡死的缺陷。

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