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Low-temperature synthesis of wurtzite ZnS single-crystal nanowire arrays

机译：纤锌矿型ZnS单晶纳米线阵列的低温合成

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The synthesis of highly aligned and ordered wurtzite ZnS single-crystal nanowires at low temperatures is crucial for their applications in electronic and optoelectronic nanodevices. In the present study, wurtzite ZnS single-crystal nanowire arrays with a preferred growth along the [110] direction have been successfully prepared at a low temperature of T = 120 deg C by employing electrochemical deposition techniques using the alumina template with 40 nm diameter pores. The microstructure of the ZnS nanowires was characterized by x-ray diffraction and transmission electron microscopy studies. A small deposition current is found to be favourable for the growth of wurtzite ZnS single-crystal nanowires and the cause has been discussed.
机译：在低温下合成高度排列有序的纤锌矿型ZnS单晶纳米线，对于其在电子和光电纳米器件中的应用至关重要。在本研究中，通过采用电化学沉积技术，使用具有40 nm直径孔的氧化铝模板，在T = 120℃的低温下成功制备了沿[110]方向具有优选生长的纤锌矿ZnS单晶纳米线阵列。 。 ZnS纳米线的微观结构通过X射线衍射和透射电子显微镜研究进行了表征。发现小的沉积电流有利于纤锌矿ZnS单晶纳米线的生长，并且已经讨论了原因。

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