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【24h】

A Pt/TiO2/Ti Schottky-type selection diode for alleviating the sneak current in resistance switching memory arrays

机译：一种Pt / TiO2 / Ti肖特基型选择二极管，用于减轻电阻开关存储阵列中的潜电流

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This study examined the properties of Schottky-type diodes composed of Pt/TiO2/Ti, where the Pt/TiO2 and TiO2/Ti junctions correspond to the blocking and ohmic contacts, respectively, as the selection device for a resistive switching cross-bar array. An extremely high forward-to-reverse current ratio of similar to 10(9) was achieved at 1 V when the TiO2 film thickness was 19 nm. TiO2 film was grown by atomic layer deposition at a substrate temperature of 250 degrees C. Conductive atomic force microscopy revealed that the forward current flew locally, which limits the maximum forward current density to <10 A cm(-2) for a large electrode (an area of similar to 60 000 mu m(2)). However, the local current measurement showed a local forward current density as high as similar to 10(5) A cm(-2). Therefore, it is expected that this type of Schottky diode effectively suppresses the sneak current without adverse interference effects in a nano-scale resistive switching cross-bar array with high block density.
机译：这项研究检查了由Pt / TiO2 / Ti组成的肖特基二极管的特性，其中Pt / TiO2和TiO2 / Ti结分别对应于阻挡和欧姆接触，作为电阻开关交叉开关阵列的选择装置。当TiO2膜厚为19 nm时，在1 V时实现了非常高的正向和反向电流比，类似于10（9）。 TiO2薄膜是通过在250摄氏度的衬底温度下通过原子层沉积法生长的。导电原子力显微镜显示，正向电流局部飞行，这将大电极的最大正向电流密度限制为<10 A cm（-2）（面积类似于60000微米（2））。但是，本地电流测量显示本地正向电流密度高达10（5）A cm（-2）。因此，期望这种肖特基二极管在具有高块密度的纳米级电阻开关交叉开关阵列中有效抑制潜电流而没有不利的干扰影响。

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