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Selective growth of ZnSe and ZnCdSe nanowires by molecular beam epitaxy

机译：分子束外延选择性生长ZnSe和ZnCdSe纳米线

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Controlled growth of ZnSe and ZnCdSe nanowires is demonstrated by molecular beam epitaxy using Au or Ag catalyst films in the temperature range 400-550° C. The highest density of small-diameter (10 nm), highly-crystalline ZnSe nanowires is achieved by using Au at 400 ° C. Direct growth onto transmission electron microscope grids clearly indicates a tip-growth regime. Pre-patterning of the catalyst film allows highly selective ZnSe deposition as probed by photoluminescence and Raman spectroscopy. In similar conditions, the addition of Cd vapour in the MBE reactor allows the synthesis of ZnCdSe ternary nanowires.
机译：ZnSe和ZnCdSe纳米线的可控生长通过使用金或银催化剂膜在400-550°C的温度范围内通过分子束外延来证明。通过在400＆DEG时使用Au，可以获得小直径（10 nm），高度结晶的ZnSe纳米线的最高密度。 C.直接生长在透射电子显微镜格栅上清楚地表明了尖端生长状态。催化剂膜的预构图可实现高选择性ZnSe沉积，如通过光致发光和拉曼光谱仪所探测的那样。在相似的条件下，在MBE反应器中添加Cd蒸气可以合成ZnCdSe三元纳米线。

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