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Controlled synthesis of single-crystallin InN nanorods

机译：单晶InN纳米棒的受控合成

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Single-crystalline InN nanorods were successfully grown on C-Al2O3, GaN, Si(l11), and Si(100) substrates by non-catalytic, template-free hydride metal-organic vapour phase epitaxy (H-MOVPE). It was evaluated thermodynamically and confirmed experimentally that the domain of nanorod growth lies in the vicinity of the growth-etch transition. Stable gas phase oligomer formation is suggested as the nucleation mechanism for InN nanoparticle generation. Dislocation-free, high-quality InN nanorods with [00.1] growth axis were formed via an apparent solid-vapour growth mechanism. The nanorod diameter, density, and orientation were controlled by growth temperature, substrate selection, and HCl/TMIn and N/In inlet molar ratios.
机译：通过非催化，无模板的氢化物金属有机气相外延（H-MOVPE），在C-Al2O3，GaN，Si（11）和Si（100）衬底上成功生长了单晶InN纳米棒。通过热力学进行了评估，并通过实验确认了纳米棒的生长区域位于生长蚀刻过渡区附近。稳定的气相低聚物形成被认为是InN纳米粒子生成的成核机理。通过表观的固相生长机理形成了无位错，生长轴[00.1]的高质量InN纳米棒。纳米棒的直径，密度和方向由生长温度，底物选择以及HCl / TMIn和N / In入口摩尔比控制。

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