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A high-performance triode-type carbon nanotube field emitter for mass production

机译：大规模生产的高性能三极管型碳纳米管场致发射器

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A triode-type field emission device based on carbon nanotubes (CNTs) synthesized on an anodic aluminum oxide (AAO) template was fabricated. For the improvement of device performance, in addition to the basic advantages of using AAO to obtain uniform CNTs with strong adhesion, several considerations were taken into account, including highly crystalline CNTs synthesized through thermal chemical vapor deposition (CVD) at 1200 degrees C, lowering the contact resistance with a Ti buffer layer and reducing the pixel size and gate-to-emitter distance. The triode-type field emitter showed a high current density of 20 mA cm(-2) and a low turn-on voltage of 16 V. The very high field enhancement factor of 1.6 x 10(6) cm(-1) confirmed the high efficiency of the triode structure in electron extraction.
机译：制造了基于在阳极氧化铝（AAO）模板上合成的碳纳米管（CNT）的三极型场发射器件。为了提高设备性能，除了使用AAO获得具有强粘合力的均匀CNT的基本优点外，还考虑了一些因素，包括通过在1200摄氏度下通过热化学气相沉积（CVD）合成的高结晶性CNT，与Ti缓冲层的接触电阻，并减小像素尺寸和栅极到发射极的距离。三极管型场发射器显示出20 mA cm（-2）的高电流密度和16 V的低导通电压。1.6x 10（6）cm（-1）的非常高的场增强因子证实了三极管结构在电子提取中的效率很高。

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