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Formation of Ge quantum dots array in layer-cake technique for advanced photovoltaics

机译:先进光伏技术的层饼技术中Ge量子点阵列的形成

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摘要

We report a simple and manageable growth method for placing dense three-dimensional Ge quantum dot (QD) arrays in a uniform or a graded size distribution, based on thermally oxidizing stacked poly-SiGe in a layer-cake technique. The QD size and spatial density in each stack can be modulated by conditions of the Ge content in poly-Si_(1-x)Ge_x, oxidation, and the underlay buffer layer. Size-dependent internal structure, strain, and photoluminescence properties of Ge QDs are systematically investigated. Optimization of the processing conditions could be carried out for producing dense Ge QD arrays to maximize photovoltaic efficiency.
机译:我们报告了一种简单且易于管理的生长方法,该方法基于在层状蛋糕技术中热氧化堆叠式多晶硅,在均匀或渐变的尺寸分布中放置密集的三维Ge量子点(QD)阵列。每个叠层中的QD尺寸和空间密度可以通过多晶硅(1-x)Ge_x,氧化和底层缓冲层中Ge含量的条件来调节。系统地研究了Ge ​​QDs的尺寸依赖性内部结构,应变和光致发光特性。可以进行工艺条件的优化以生产致密的Ge QD阵列,以最大化光伏效率。

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