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【24h】

Continuous-flux MOVPE growth of position-controlled N-face GaN nanorods and embedded InGaN quantum wells

机译：位置控制的N面GaN纳米棒和嵌入式InGaN量子阱的连续通量MOVPE生长

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We demonstrate the fabrication of N-face GaN nanorods by metal organic vapour phase epitaxy (MOVPE), using continuous-flux conditions. This is in contrast to other approaches reported so far, which have been based on growth modes far off the conventional growth regimes. For position control of nanorods an SiO_2 masking layer with a dense hole pattern on a c-plane sapphire substrate was used. Nanorods with InGaN/GaN heterostructures have been grown catalyst-free. High growth rates up to 25νmh~(-1) were observed and a well-adjusted carrier gas mixture between hydrogen and nitrogen enabled homogeneous nanorod diameters down to 220nm with aspect ratios of approximately 8:1. The structural quality and defect progression within nanorods were determined by transmission electron microscopy (TEM). Different emission energies for InGaN quantum wells (QWs) could be assigned to different side facets by room temperature cathodoluminescence (CL) measurements.
机译：我们演示了使用连续通量条件通过金属有机气相外延（MOVPE）制造N面GaN纳米棒。这与迄今报道的其他方法不同，后者是基于与常规增长机制相距甚远的增长模式建立的。为了控制纳米棒，使用了在c面蓝宝石衬底上具有密集孔图案的SiO_2掩膜层。具有InGaN / GaN异质结构的纳米棒已无催化剂生长。观察到高达25νmh〜（-1）的高生长速率，并且在氢和氮之间进行了良好调整的载气混合物，使纳米棒的均匀直径低至220nm，纵横比约为8：1。通过透射电子显微镜（TEM）确定纳米棒内的结构质量和缺陷进展。可以通过室温阴极发光（CL）测量将InGaN量子阱（QW）的不同发射能量分配给不同的侧面。

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