• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Nanotechnology >The fabrication of single-electron transistors using dielectrophoretic trapping of individual gold nanoparticles
【24h】

The fabrication of single-electron transistors using dielectrophoretic trapping of individual gold nanoparticles

机译：利用单个金纳米粒子的介电泳捕获法制备单电子晶体管

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We demonstrate a simple technique for the fabrication of gold nanoparticle single-electron transistors (SET). The technique is based on nanogap fabrication using the nanoparticle break junction technique and dielectrophoretic assembly of thiolated gold nanoparticles into the nanogap. Electron transport measurements at 4.2 K show a clear and periodic Coulomb diamond structure, characteristic of an SET from a single quantum dot. We performed simulations using a commercially available SET Monte Carlo simulator to further verify that the observed transport behavior stems from a single dot and obtained different parameters for the SET.
机译：我们演示了一种简单的技术，用于制造金纳米粒子单电子晶体管（SET）。该技术基于使用纳米粒子断裂连接技术的纳米间隙制造以及将巯基化的金纳米粒子介电电泳组装到纳米间隙中。在4.2 K下的电子传输测量显示出清晰且周期性的库仑菱形结构，这是单个量子点形成的SET的特征。我们使用市售的SET Monte Carlo模拟器进行了仿真，以进一步验证观察到的传输行为源自单个点，并获得了SET的不同参数。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号