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Transport in single-molecule transistors: Kondo physics and negative differential resistance

机译：单分子晶体管中的传输：近藤物理特性和负差分电阻

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We report two examples of transport phenomena based on sharp features in the effective density of states of molecular-scale transistors: Kondo physics in C-60-based devices, and gate-modulated negative differential resistance (NDR) in 'control' devices that we ascribe to adsorbed contamination. We discuss the need for a statistical approach to device characterization, and the criteria that must be satisfied to infer that transport is based on single molecules. We describe apparent Kondo physics in C-60-based single-molecule transistors (SMTs), including signatures of molecular vibrations in the Kondo regime. Finally, we report gate-modulated NDR in devices made without intentional molecular components, and discuss possible origins of this property.
机译：我们基于分子尺度晶体管的有效状态密度的鲜明特征，报告了两个传输现象的例子：基于C-60的器件中的近藤物理学，以及“控制”器件中的门调制负差分电阻（NDR），归因于吸附的污染物。我们讨论了对设备表征采用统计方法的需求，以及推断运输基于单分子所必须满足的标准。我们在基于C-60的单分子晶体管（SMT）中描述了明显的近藤物理学，包括近藤政权中分子振动的信号。最后，我们报告了无意制造分子组件的设备中的门调制NDR，并讨论了此特性的可能起源。

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