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Silicon nanowires as enhancement-mode Schottky barrier field-effect transistors

机译：硅纳米线作为增强型肖特基势垒场效应晶体管

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Silicon nanowire field-effect transistors (SiNWFETs) have been fabricated with a highly simplified integration scheme to function as Schottky barrier transistors with excellent enhancement-mode characteristics and a high on/off current ratio ~10~7. SiNWFETs show significant improvement in the thermal emission leakage (~6 x 10~(-13) A mu m~(-1)) compared to reference FETs with a larger channel width (~7 x 10~10 A mu m~(-1)). The drain current level depends substantially on the contact metal work function as determined by examining devices with different source/drain contacts of Ti (4.33 eV) and Cr (approx =4.50 eV). The different conduction mechanisms for accumulation- and inversion-mode operation are discussed and compared with two-dimensional numerical simulation results.
机译：硅纳米线场效应晶体管（SiNWFET）已通过高度简化的集成方案制造，可以用作具有出色增强模式特性和高开关电流比〜10〜7的肖特基势垒晶体管。与具有较大沟道宽度（〜7 x 10〜10 Aμm〜（-）的参考FET相比，SiNWFET的散热泄漏（〜6 x 10〜（-13）μm〜（-1））有了显着改善。 1））。漏极电流水平基本上取决于接触金属功函数，这是通过检查具有不同Ti / 4.33 eV和Cr（约= 4.50 eV）源/漏触点的器件确定的。讨论了累积和反转模式操作的不同传导机制，并将其与二维数值模拟结果进行了比较。

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