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Towards registered single quantum dot photonic devices

机译：走向注册的单量子点光子器件

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We have registered the position and wavelength of a single InGaAs quantum dot using an innovative cryogenic laser lithography technique. This approach provides accurate marking of the location of self-organized dots and is particularly important for realizing any solid-state cavity quantum electrodynamics scheme where the overlap of the spectral and spatial characteristics of an emitter and a cavity is essential. We demonstrate progress in two key areas towards efficient single quantum dot photonic device implementation. Firstly, we show the registration and reacquisition of a single quantum dot with 50 and 150 nm accuracy, respectively. Secondly, we present data on the successful fabrication of a photonic crystal L3 cavity following the registration process.
机译：我们已经使用创新的低温激光光刻技术记录了单个InGaAs量子点的位置和波长。这种方法提供了自组织点位置的准确标记，对于实现任何固态腔量子电动力学方案特别重要，在这种方案中，发射极和腔的光谱和空间特性的重叠是必不可少的。我们展示了在实现高效单量子点光子器件实现的两个关键领域的进展。首先，我们显示了单个量子点的配准和重获，分别具有50和150 nm的精度。其次，我们提出有关配准过程成功制造光子晶体L3腔的数据。

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