分子線エピタキシによる面創成に関する研究（第3報）--Si-Siホモエピタキシャル成長機構における結晶異方性

金子 新; 古川勇二

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Wulffプロットと同様の計算を単原子層ステップに対して適用し，エピタキシャル成長における異方性を表す量，異方性係数を新たに定義した。特定の結晶面において，この水平面内の結晶方位に対する異方性係数の計算値と創成された微細形状の幾何的特徴を比較した結果，微細形状側面の結晶面は，異方性係数が最小値あるいは極小値を示す方向のステップで構成されていくことが明らかとなった。このことから，異方性係数がそれぞれの結晶方位のステップに対する相対的な成長速度を表していることが検証できた。 MBE成長の結晶異方性は，基板内部よりも表面の結晶構造に強く依存するため，異方性係数の計算をより正確にするには，MBE成長される表面の結晶構造すなわち再構成構造を対象とすることが望ましいことが明らかとなった。また，エピタキシャル成長条件，核発生密度あるいはバンチング発生密度，基板面方位，エピタキシャル成長の結晶異方性から，微細形状の創成機構をモデル化し，エピタキシャル成長面の幾何形状を制御できる可能性を明らかにした。

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来源
《精密工学会誌》 |2001年第8期|1304-1309|共6页
作者
金子新; 古川勇二;
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作者单位

東京都立大学大学院;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类机械制造工艺;
关键词
molecular beam epitaxy; silicon; atomic level surface formation; anisotropy;

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