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首页> 外文期刊>Radiation Physics and Chemistry >Valence band study of LaNiO_(3-δ) thin films
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Valence band study of LaNiO_(3-δ) thin films

机译：LaNiO_（3-δ）薄膜的价带研究

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The resonant photoemission spectroscopy was used to study the surface electronic structure under La 4d→4f and Ni 3p→3d photo-excitation of thin LaNiO_(3-δ) films after annealing in ultrahigh vacuum above dehydration temperature. The giant resonance in La 5p and La 5s peaks intensity observed at excitation energy corresponding to a La 4d → 4f threshold is accompanied by resonance of the N_(4.5)O_(2.3)O_(23) and N_(4.5)O_(2.3)V Auger peaks. The enhancement in the intensity of valence band maxima (at about 6 eV) may be explained by the small mixing of the La 5d ionic character to the O 2p valence band. The week resonant features observed in the valence band spectra under Ni 3p→3d threshold indicate the loss of nickel species at the LaNiO_(3-δ) film surface after heat treatment.
机译：利用共振光发射光谱研究了LaNiO_（3-δ）薄膜在高于脱水温度的超高真空退火后在La 4d→4f和Ni 3p→3d光激发下的表面电子结构。在对应于La 4d→4f阈值的激发能下观察到的La 5p和La 5s峰强度的巨共振伴随N_（4.5）O_（2.3）O_（23）和N_（4.5）O_（2.3）的共振V Auger峰。价带最大强度的增强（大约6 eV）可以通过将La 5d离子特性与O 2p价带少量混合来解释。在Ni 3p→3d阈值下的价带谱中观察到的一周共振特征表明，热处理后LaNiO_（3-δ）膜表面镍物种的损失。

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