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Dopant-configuration controlled carrier scattering in graphene

机译：石墨烯中掺杂剂配置控制的载流子散射

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Controlling optical and electronic properties of graphene via substitutional doping is central to many fascinating applications. Doping graphene with boron (B) or nitrogen (N) has led to p- or n-type graphene; however, the electron mobility in doped-graphene is severely compromised due to increased electron-defect scattering. Here, we demonstrate through Raman spectroscopy, nonlinear optical and ultrafast spectroscopy, and density functional theory that the graphitic dopant configuration is stable in graphene and does not significantly alter electron-electron or electron-phonon scattering, that is otherwise present in doped graphene, by preserving the crystal coherence length (L-a).
机译：通过替代掺杂控制石墨烯的光学和电子性质是许多引人入胜的应用的关键。石墨烯中掺有硼（B）或氮（N）导致生成p型或n型石墨烯。然而，由于增加的电子缺陷散射，严重影响了掺杂石墨烯中的电子迁移率。在这里，我们通过拉曼光谱，非线性光学和超快光谱以及密度泛函理论证明，石墨掺杂剂构型在石墨烯中是稳定的，并且不会显着改变电子-电子或电子-声子的散射，否则通过掺杂的石墨烯会存在保持晶体相干长度（La）。

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