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机译:带隙可调的高k双栅极无结隧道FET(第5卷,第54544页,2015年)
机译:带隙可调的高k双栅极无结隧道FET(第5卷,第54544页,2015年)
机译:带有可调带隙的高k双门连接隧道FET
机译:校正:高k双门连接隧道FET,可调谐带隙
机译:具有高k栅极堆栈的双层双栅极连接累积模式圆柱形圆柱栅极的研究,高功率数字应用
机译:通过隧道外延,使用氮化的热氧化物作为栅绝缘体,开发自对准双栅MOSFET的工艺流程。
机译:可调带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:校正:高k双门连接隧道FET,可调谐带隙