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【24h】

GaN nanorod array as a precursor to enhance GaN:Mn ferromagnetism

机译:GaN纳米棒阵列作为增强GaN:Mn铁磁性的前体

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摘要

With a high surface-to-volume ratio, a Ga-polar GaN nanorod array was designed and obtained as a precursor for growing ferromagnetically enhanced GaN:Mn film by MOCVD. HRXRD and Raman scattering results might imply a correlation between the ferromagnetism in GaN:Mn and built-in defects in the intrinsic GaN lattice, which were produced when Mn doping was carried out.
机译:设计并获得了高表面积体积比的Ga极性GaN纳米棒阵列,作为通过MOCVD生长铁磁增强的GaN:Mn膜的前驱体。 HRXRD和拉曼散射结果可能暗示GaN:Mn中的铁磁性与本征GaN晶格中的内置缺陷之间的相关性,这些缺陷是在进行Mn掺杂时产生的。

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