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首页> 外文期刊>Russian Journal of Physical Chemistry >T-x diagram and transport properties of the GeSe-GeI_2 solid electrolyte
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T-x diagram and transport properties of the GeSe-GeI_2 solid electrolyte

机译：GeSe-GeI_2固体电解质的T-x图和传输性质

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The T-x diagram for the GeSe-GeI_2 system was plotted based on DTA, XRD, and conductivity data. The diagram features a simple eutectic and a limited region of solid solutions with prevalent GeSe content. It was established that, in the region of solid solutions, the properties of the GeSe-GeI_2 solid electrolyte are substantially dependent on the concentration of the GeI2 dopant. The highest conductivity (10~-3-10~-4 S/cm at 150°C), lowest activation energy of electric conduction (0.3–0.4 eV), and lowest electronic (hole) transport numbers (10~-5-10~-7 at 150°C) at high ionic (～1.0) and cationic (0.9–1.0) transport numbers were observed at a GeI2 concentration of 3–6 mol %. In the two-phase region, the transport properties (conductivity and activation energy of conduction) only slightly depend on the dopant concentration.
机译：根据DTA，XRD和电导率数据绘制了GeSe-GeI_2系统的T-x图。该图具有简单的共晶和有限的固溶体区域，该固溶体具有普遍的GeSe含量。已经确定，在固溶体的区域中，GeSe-GeI_2固体电解质的性质基本上取决于GeI2掺杂剂的浓度。最高电导率（在150°C下为10〜-3-10〜-4 S / cm），最低的电导活化能（0.3–0.4 eV）和最低的电子（空穴）传输数（10〜-5-10）在GeI2浓度为3–6 mol％的情况下，在高离子（〜1.0）和阳离子（0.9–1.0）的高迁移率下观察到〜-7。在两相区域中，传输特性（电导率和传导活化能）仅略微取决于掺杂剂浓度。

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