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Ti:sapphire planar waveguide laser grown by pulsed laser deposition

机译：通过脉冲激光沉积生长的Ti：蓝宝石平面波导激光器

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We document the lasing performance of a waveguiding layer of Ti:sapphire, of similar to 12-mu m thickness, grown by pulsed laser deposition from a 0.12-wt.% Ti2O3 Ti:sapphire single-crystal target onto an undoped z-cut sapphire substrate. Lasing around 800 nm is observed when the waveguide layer is pumped by an argonion laser running on all-blue-green lines, with an absorbed power threshold of 0.56 W, with high-reflectivity (R > 98%) mirrors. With a 5% pump duty cycle and a T = 35% output coupler, a slope efficiency of 26% with respect to absorbed power is obtained, giving quasi-cw output powers in excess of 350 mW. (C) 1997 Optical Society of America.
机译：我们记录了厚度为12微米的Ti：蓝宝石的波导层的激光性能，该层通过脉冲激光沉积从0.12 wt。％的Ti2O3 Ti：蓝宝石单晶靶到未掺杂的z切割蓝宝石上生长基质。当波导层被运行在全蓝绿色线上的氩离子激光器泵浦，吸收功率阈值为0.56 W，并带有高反射率（R> 98％）反射镜时，观察到大约800 nm的激光发射。在5％的泵占空比和T = 35％的输出耦合器的情况下，相对于吸收功率的斜率效率为26％，从而准cw输出功率超过350 mW。 （C）1997年美国眼镜学会。

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