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Large phase shifts in AS(2)S(3) waveguides for all-optical processing devices

机译:全光处理设备的AS(2)S(3)波导中的大相移

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摘要

A large phase shift of 4.7 pi at 1.53 mu m has been observed from a low-loss (0.2 dB/cm), small-core AS(2)S(3) waveguide fabricated by dry etching. The strength of the nonlinear response was limited by photosensitivity and photocrystallization of the AS(2)S(3) films at 1.53 mu m, far below the material bandgap. (c) 2005 Optical Society of America.
机译:从通过干法刻蚀制造的低损耗(0.2 dB / cm),小芯AS(2)S(3)波导中观察到1.53μm处的4.7 pi的大相移。非线性响应的强度受到AS(2)S(3)薄膜在1.53μm(远低于材料带隙)处的光敏性和光结晶作用的限制。 (c)2005年美国眼镜学会。

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