Effects of Mg content on dark-line defects in II-VI green converters

Y. Zhu; J. Xie; T.J. Miller

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Effects of Mg content on dark-line defects in II-VI green converters

机译：镁含量对II-VI绿色转炉暗线缺陷的影响

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State-of-the-art green emission efficiency is achieved with CdMgZnSe color-converting heterostructures. A unique dark-line defect formation mechanism is revealed in CdMgZnSe green converters. Stacking faults extend horizontally inside the Mg-rich window layers, and partial dislocations associated with stacking faults give rise to dark lines. Such a mechanism indicates the low stack -ing-fault energy of the MgSe-containing alloys and suggests that, in addition to misfit strain, Mg content also plays an important role in defect formation in II-VI semiconductors.

机译：利用CdMgZnSe色彩转换异质结构可以实现最先进的绿色发射效率。 CdMgZnSe绿色转换器中揭示了独特的暗线缺陷形成机理。堆垛层错在富含镁的窗层内部水平延伸，与堆垛层错相关的部分位错会引起黑线。这种机制表明含MgSe的合金具有低的叠层错能，并且表明，除了失配应变，Mg含量在II-VI半导体中的缺陷形成中也起着重要作用。

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来源
《Scripta materialia》 |2011年第6期|共4页
作者
Y. Zhu; J. Xie; T.J. Miller;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类冶金工业;
关键词
Transmission electron microscopy; Molecular beam epitaxy; Defect; Semiconductor devices; Dislocation;

机译：透射电镜;分子束外延;缺陷;半导体器件;位错;

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