The use of Ga_(16)Sb_(84) alloy for electronic phase-change memory

Chih-Chung Chang; Chien-Tu Chao; Jong-Ching Wu

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The use of Ga_(16)Sb_(84) alloy for electronic phase-change memory

机译：Ga_（16）Sb_（84）合金在电子相变存储器中的应用

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The use of simpler compositions for phase-change memory has been a popular goal. This study explores phase-change, electrical conduction and thermal stability of Ga_(16)Sb_(84) film to meet this purpose. Amorphous Ga_(16)Sb_(84) film shows a crystallization temperature of 227 °C and a temperature for 10 year data retention of 148 °C. The density of the film increases 5% upon crystallization. Asteep resistance drop during crystallization arises mainly from the sharp increase in carrier concentration with p-type conduction. Ga_(16)Sb_(84) memory cells demonstrate set-reset switching at a pulse width of 10 ns and have a durability of >10~5 cycles.

机译：将较简单的成分用于相变存储器已成为普遍的目标。本研究探讨了Ga_（16）Sb_（84）薄膜的相变，导电性和热稳定性，以达到此目的。非晶Ga_（16）Sb_（84）膜的结晶温度为227°C，数据保留10年的温度为148°C。结晶后，膜的密度增加5％。结晶过程中的抗拉强度下降主要是由于p型导电导致载流子浓度急剧增加。 Ga_（16）Sb_（84）存储器单元以10 ns的脉冲宽度演示了置位复位开关，并具有> 10〜5个周期的耐久性。

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来源
《Scripta materialia》 |2011年第9期|共4页
作者
Chih-Chung Chang; Chien-Tu Chao; Jong-Ching Wu;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类冶金工业;
关键词
Phase-change material; Ga-Sb alloys; Crystallization; Electrical properties; Thermal stability;

机译：相变材料;Ga-Sb合金;结晶;电学性能;热稳定性;

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