...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Sensors and Actuators, A. Physical >Fracture toughness of polysilicon MEMS devices
【24h】

Fracture toughness of polysilicon MEMS devices

机译：多晶硅MEMS器件的断裂韧性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Polysilicon fracture mechanics specimens have been fabricated using standard microelectro-mechanical systems (MEMS) processing techniques, with characteristic dimensions comparable to typical MEMS devices. These specimens are fully integrated with simultaneously fabricated electrostatic actuators that are capable of providing sufficient force to ensure catastrophic crack propagation. Thus, the entire fracture experiment takes place on-chip, eliminating the difficulties associated with attaching the specimen to an external loading source. The specimens incorporate atomically sharp cracks created by indentation, and fracture is initiated using monotonic electrostatic loading. The fracture toughness values are determined using finite element analysis (FEA) of the experimental data, and show a median value of 1.1 MPa m(1/2). (C) 2000 Elsevier Science S.A. All rights reserved. [References: 13]
机译：多晶硅断裂力学样品已使用标准的微机电系统（MEMS）处理技术制造，其特征尺寸可与典型的MEMS器件相媲美。这些样品与同时制造的静电致动器完全集成在一起，该静电致动器能够提供足够的力来确保灾难性的裂纹扩展。因此，整个断裂实验都在芯片上进行，消除了将标本附着到外部加载源上的困难。试样包含由压痕产生的原子上尖锐的裂纹，并使用单调静电载荷引发断裂。断裂韧性值使用实验数据的有限元分析（FEA）确定，并显示1.1 MPa m（1/2）的中值。 （C）2000 Elsevier Science S.A.保留所有权利。 [参考：13]

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号