...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Semiconductors >AlGaAs/GaAs Diode Lasers (1020-1100 nm) with an Asymmetric Broadened Single Transverse Mode Waveguide
【24h】

AlGaAs/GaAs Diode Lasers (1020-1100 nm) with an Asymmetric Broadened Single Transverse Mode Waveguide

机译：具有不对称加宽单横模波导的AlGaAs / GaAs二极管激光器（1020-1100 nm）

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Approaches to the development of laser heterostructures with a broadened single-mode waveguide are studied theoretically and experimentally. It is shown that the use of n- and p-type emitters with different refractive-index values ensures lasing in the fundamental mode only, if the thickness of the waveguide layer is 2 μm. The studied semiconductor lasers fabricated using the developed heterostructure feature internal optical losses amounting to 0.6 cm~(-1); the divergence in the plane perpendicular to the p-n junction is 23°. In the continuous lasing mode at room temperature, a linear power-current characteristic is obtained at an output optical power as high as 7 W.
机译：从理论和实验上研究了利用加宽的单模波导发展激光异质结构的方法。结果表明，如果波导层的厚度为2μm，则使用具有不同折射率值的n型和p型发射器只能确保以基本模式发射激光。使用所开发的异质结构制造的半导体激光器具有内部光学损耗达0.6 cm〜（-1）的特点。垂直于p-n结的平面中的散度为23°。在室温下的连续激光模式下，在高达7 W的输出光功率下可获得线性功率-电流特性。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号