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首页> 外文期刊>Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion >Short-circuit current enhancement in Bragg stack multi-quantum-well solar cells for multi-junction space cell applications
【24h】

Short-circuit current enhancement in Bragg stack multi-quantum-well solar cells for multi-junction space cell applications

机译：用于多结空间电池应用的布拉格堆叠多量子阱太阳能电池中的短路电流增强

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GaInP/GaAs tandem cells are limited by the current generated in the bottom GaAs junction. Strain-balanced multi-quantum well (MQW) solar cells offer a way of achieving a lower band gap for the lower junction, whilst retaining the lattice parameter of GaAs, and avoiding non-radiative recombination through dislocations. Further, the addition of a distributed Bragg reflector (DBR) allows the possibility of light not absorbed by the wells being reflected back into the structure, whilst allowing sub-well band-gap light through to a third Ge junction. Experimental results are presented from MQW cells grown with and without DBRs. These show a higher internal quantum efficiency in the 880 nm - 1 mum region without detriment to the bulk response, when compared to MQW cells without DBRs. (C) 2002 Published by Elsevier Science B.V. [References: 12]
机译：GaInP / GaAs串联电池受底部GaAs结中产生的电流限制。应变平衡多量子阱（MQW）太阳能电池提供了一种方法，可在保持GaAs的晶格参数的同时，为下结提供较低的带隙，并避免因位错而发生非辐射复合。此外，增加分布式布拉格反射器（DBR）可以将未被阱吸收的光反射回结构中，同时允许子阱带隙光到达第三Ge结。实验结果显示了使用和不使用DBR的MQW细胞的生长情况。与没有DBR的MQW电池相比，这些显示出在880 nm-1 mum区域内更高的内部量子效率，而不会损害整体响应。 （C）2002由Elsevier Science B.V.出版[参考文献：12]

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