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首页> 外文期刊>Philosophical Magazine Letters >Transformation of Shockley into Frank stacking faults in a ZnS_(0.04)Se_(0.96)/GaAs (001) heterostructure
【24h】

Transformation of Shockley into Frank stacking faults in a ZnS_(0.04)Se_(0.96)/GaAs (001) heterostructure

机译：ZnS_（0.04）Se_（0.96）/ GaAs（001）异质结构中将Shockley转变为Frank堆积断层

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We report the transformation of Shockley partial dislocations (PDs) into Frank PDs in lattice-matched ZnS_(0.04)Se_(0.96)/GaAs(001) as investigated by transmission electron microscopy. The ZnS_(0.04)Se_(0.96) layers, with a nominal thickness of 70 nm, were grown on GaAs(001) by metal-organic chemical vapour deposition at 350 ℃. We mainly find stacking-fault pairs on the (111) and ((1-bar)(1-bar)1) planes that are bound by Shockley PDs with Burgers vector b = 1/6α_0<211>. Different reactions are observed between PDs taking place in situ in the electron microscope, leading to the transformation of Shockley PDs into Frank PDs with b = 1/3α~0<111) and stacking faults on the ((1-bar)1(1-bar)) or (1(1-bar)(1-bar)) planes.
机译：我们通过透射电子显微镜研究了晶格匹配的ZnS_（0.04）Se_（0.96）/ GaAs（001）中将Shockley部分位错（PDs）转变为Frank PDs。 ZnS_（0.04）Se_（0.96）层通过金属有机化学气相沉积在350℃下生长在GaAs（001）上，标称厚度为70 nm。我们主要在（111）平面和（（1-bar）（1-bar）1）平面上找到由Burgers向量b = 1 /6α_0<211>约束的Shockley PD所造成的堆叠故障对。在电子显微镜中原位发生的PD之间观察到不同的反应，导致Shockley PD转变为b = 1 /3α〜0 <111）的Frank PD和在（（1-bar）1（1 -bar））或（1（1-bar）（1-bar））平面。

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