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机译:用纳米衍射测量位错核心周期
机译:用纳米衍射测量位错核心周期
机译:InN / GaN(0001)界面的三周期部分失配位错:Ⅲ-N材料的新位错核心结构
机译:通过快速扫描X射线纳米衍射研究周期性和非周期性Si(001)模板上SiGe中的位错工程
机译:通过TEM技术,脱位核心重建和图像对比度分析的N-DOPED 4H-SiC中部分脱位的核心组成
机译:镉单晶中位错速度和移动位错密度的测量与应变和应变率的关系。
机译:单纯性肘关节脱位患者的牛津肘得分和手臂,肩部和手部快速残疾的重要变化和其他测量特性最小;验证研究以及多中心FuncSiE试验
机译:通过快速扫描X射线纳米二射出研究的周期性和非周期性Si(001)模板上的SiGe脱位工程