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首页> 外文期刊>Physica Scripta: An International Journal for Experimental and Theoretical Physics >Bias dependent subband edges and the 0.7 conductance anomaly
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Bias dependent subband edges and the 0.7 conductance anomaly

机译：偏置相关的子带边缘和0.7电导异常

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The 0.7 (2e(2)/h) conductance anomaly is studied in strongly confined, etched GaAs/GaAlAs quantum point contacts by measuring the differential conductance G as a function of source-drain bias V-sd and gate-source bias V-gs as well as a function of temperature. In the V-gs - V-sd plane we use a grayscale plot of the transconductance dG/dV(gs) to map out the bias dependent transitions between the normal and anomalous conductance plateaus. Any given transition is interpreted as arising when the bias controlled chemical potential mu(d) (mu(s)) Of the drain (source) reservoir crosses a subband edge epsilon(x) in the point contact. From the grayscale plot we extract the constant normal subband edges epsilon(0), epsilon(1),... and most notably the bias dependent anomalous subband edge epsilon(0)(')(mu(d)) split off from epsilon(0). We show by applying a finite-bias version of the recently proposed BCF model, how the bias dependence of the anomalous subband edge is the key to analyze various experimental observations related to the 0.7 anomaly. [References: 26]
机译：通过测量微分电导率G与源极-漏极偏置V-sd和栅极-源极偏置V-gs的函数关系，在强约束，蚀刻的GaAs / GaAlAs量子点触点中研究了0.7（2e（2）/ h）电导异常以及温度的函数在V-gs-V-sd平面中，我们使用跨导dG / dV（gs）的灰度图来绘制正常电导和异常电导高原之间依赖于偏置的跃迁。任何给定的跃迁都被解释为当漏极（源极）储层的偏置控制化学势mu（d）（mu（s））跨过点接触中的子带边缘epsilon（x）时出现。从灰度图中，我们提取出恒定的正常子带边缘epsilon（0），epsilon（1），...，最值得注意的是从epsilon分离出的与偏差有关的异常子带边缘epsilon（0）（'）（mu（d）） （0）。通过应用最近提出的BCF模型的有限偏置版本，我们展示了异常子带边缘的偏置依赖性如何成为分析与0.7异常相关的各种实验观察的关键。 [参考：26]

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