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首页> 外文期刊>Physica Scripta: An International Journal for Experimental and Theoretical Physics >Deuterium retention by implantation in carbide-doped graphites
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Deuterium retention by implantation in carbide-doped graphites

机译：通过注入碳化物掺杂的石墨来保留氘

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For fine-grain graphites with different final heat treatment. the influences of the porosity, degree of graphitization. and dopant (TiC, VC, WC, and ZrC) on the fluence dependence of the retention of 1 keV deuterium were investigated using thermal desorption spectroscopy. A strong decrease of the D retention for fluences higher than 10(21) D /m(2) was observed for the undoped graphites graphitized at temperatures above 2000 K compared to material only calcined at 1270 K. Due to the identical manufacturing processes for the carbide-doped graphites used in this study, the structure is comparable for all of them. The choice of dopant as well as the ratio of open to closed porosity show no influence on the D retention. Therefore, these properties of the graphites can be neglected for hydrogen retention estimations. [References: 30]
机译：用于具有不同最终热处理的细晶粒石墨。孔隙率，石墨化程度的影响。使用热脱附光谱研究了掺杂剂（TiC，VC，WC和ZrC）对1 keV氘保留量的能量密度依赖性。对于在高于2000 K的温度下石墨化的未掺杂石墨，与仅在1270 K下煅烧的材料相比，观察到通量高于10（21）D / m（2）的D保留量大大降低。在这项研究中使用的掺杂碳化物的石墨，其结构可与所有石墨相媲美。掺杂剂的选择以及开孔率与闭孔率之比对D保留率没有影响。因此，对于保留氢的估计，可以忽略石墨的这些性质。 [参考：30]

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