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首页> 外文期刊>Physica Scripta: An International Journal for Experimental and Theoretical Physics >Frohlich electron-interface optical phonon interactions in n-layer low-dimensional coupling quantum structures
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Frohlich electron-interface optical phonon interactions in n-layer low-dimensional coupling quantum structures

机译：n层低维耦合量子结构中的Frohlich电子界面光学声子相互作用

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Within the framework of the dielectric continuum (DC) approximation, by using the transfer matrix method, uniform descriptions for the interface optical (IO) phonon modes and the Frohlich electron-IO phonon interaction Hamiltonians in n-layer coupling low-dimensional quantum systems (including the coupling quantum well (CQW), coupling quantum-well wire (CQWW) and coupling quantum dot (CQD)) have been deduced and investigated. Numerical calculation on three-layer AlGaAs/GaAs systems reveals that, when the wave-vector or quantum number in the three types of quantum confined systems (CQW, CQWW and CQD) approach infinity, each frequency of the IO phonon approaches one of the frequencies in single planar heterostructure, and the math and physical reasons for this feature have been explained and specified. The limited behavior of IO phonon frequency when the wave-vector or quantum number in these systems approach zero have also been displayed and analyzed.
机译：在介电连续体（DC）近似的框架内，通过使用转移矩阵方法，对n层耦合低维量子系统中的界面光学（IO）声子模和Frohlich电子-IO声子相互作用哈密顿量进行统一描述（包括耦合量子阱（CQW），耦合量子阱线（CQWW）和耦合量子点（CQD）在内。对三层AlGaAs / GaAs系统的数值计算表明，当三种类型的量子受限系统（CQW，CQWW和CQD）中的波矢量或量子数接近无穷大时，IO声子的每个频率都接近其中一个频率在单个平面异质结构中，已经解释和说明了此功能的数学和物理原因。还显示和分析了当这些系统中的波矢量或量子数接近零时，IO声子频率的有限行为。

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