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首页> 外文期刊>Physica status solidi, B. Basic research >Microstructural characterization at the interface of Al_2O_3/ZnO/Al_2O_3 thin films grown by atomic layer deposition
【24h】

Microstructural characterization at the interface of Al_2O_3/ZnO/Al_2O_3 thin films grown by atomic layer deposition

机译：原子层沉积生长Al_2O_3 / ZnO / Al_2O_3薄膜界面的微观结构表征

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In this study, the effects of the annealing temperature and time on Al2O3/ZnO/Al_2O_3 thin films grown by the atomic layer deposition (ALD) method were examined using transmission electron microscopy (TEM) and energy dispersion spectroscopy (EDS). Samples were annealed for 30 s at 600, 620, and 700 8C inaN_2 atmosphere, and other samples were annealed for 30 s, 5 min, and 10 min at 700 8C. The decrease in the thickness of ZnO showed a parabolic tendency at these temperature and time ranges, and ZnAl_2O_4 was formed by the reaction between ZnO and Al2O3 at 620 8C. Although the generated ZnAl_2O_4 grains could not have strict epitaxial relations with the ZnO grains, the stain in the ZnAl_2O_4 grains was considerably influenced by the orientation relation between ZnO and ZnAl_2O_4 which was related to the oxygen rearrangement for the ZnAl_2O_4 generation.
机译：在这项研究中，使用透射电子显微镜（TEM）和能量分散谱（EDS）研究了退火温度和时间对通过原子层沉积（ALD）方法生长的Al2O3 / ZnO / Al_2O_3薄膜的影响。样品在600、620和700 8C的naN气氛中退火30 s，其他样品在700 8C的温度下退火30 s，5分钟和10分钟。 ZnO厚度的减少在这些温度和时间范围内呈抛物线趋势，并且ZnAl_2O_4是在620 8C下ZnO与Al2O3之间的反应形成的。尽管生成的ZnAl_2O_4晶粒与ZnO晶粒没有严格的外延关系，但ZnAl和ZnAl_2O_4之间的取向关系极大地影响了ZnAl_2O_4晶粒中的污点，这与ZnAl_2O_4世代的氧重排有关。

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