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Tunneling time for phonons: dependence on the system's size

机译:声子的隧穿时间:取决于系统的大小

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摘要

We discuss the physical conditions under which the tunneling time for long-wavelength phonons through semiconductor heterostructures is independent of the system's size, i.e. the effect equivalent to the Hartman effect for electrons. An analysis of the vibrational energy stored in the system is shown to be relevant for this study. In fact, the phonon Hartman effect is explained on the basis of saturation of the stored vibrational energy. Both acoustic and optical phonons are considered. (c) 2005 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
机译:我们讨论了物理条件,在该条件下长波长声子通过半导体异质结构的隧穿时间与系统尺寸无关,即与电子的哈特曼效应等效的效应。对该系统中存储的振动能量的分析显示与该研究相关。实际上,声子哈特曼效应是基于存储的振动能量的饱和度来解释的。声子和声子都被考虑在内。 (c)2005 WILEY-VCH Verlag GmbH&Co. KGaA,Weinheim。

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