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Coulomb effects in type-II Ga(As)Sb quantum dots

机译：II型Ga（As）Sb量子点中的库仑效应

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We present a detailed explanation of the blue-shift-that is ob-served in Ga(As)Sb quantum dots (QD) with increasing pumppower density by employing an 8-band k p model with theCoulomb attractive potential added into tho ffamiltonian.Two types of structures are considered: Ga(As)Sb QDS iii a GaAs matrix and the same dots overgrown with,turn well (-QW).. We show that with increasing density the electron and hole energy leyels shift retative to each other which resulfs in an increase of the optical temsition energy fie a blue-shift.The major eontribuioe to the effect arises from the holes and is a resull of the to coofinerment inside the dot.Additioeetly,wicth meressteg telege density the electrons inovecloser to the dot which impoimt the escihator strengih of the ground-state opticed transition.
机译：我们提供了一个蓝移的详细解释，该蓝移是在Ga（As）Sb量子点（QD）中观察到的，随着泵浦功率密度的增加，通过使用8带kp模型并将库仑吸引势添加到ffamiltonian中，可以观察到这种情况。考虑了以下结构：Ga（As）Sb QDS iii是一个GaAs矩阵，并且同一个点长满了相同的点，并变好了（-QW）。我们表明，随着密度的增加，电子和空穴能级相对于彼此移动，并在光效应能量的增加是蓝移。影响的主要起因是空穴，是点内共电化的转折。另外，迈瑞斯泰格将电子密度提高到接近不能入射的点。基态光学过渡的电子强度。

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