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Pressure-dependent photoluminescence study of CuGaSe2l

机译：CuGaSe2l的压力依赖性光致发光研究

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We present the results of a pressure-dependent photoluminescence (PL) study on CuGaSe2 films grown on GaAs substrate by metalorganic vapor phase epitaxy. The low-temperature PL spectra of the CuGaSe2 samples measured at atmospheric pressure are dominated by one near band edge exciton luminescence line and two strong and relatively broad emissions associated with donor acceptor pairs (DAP) transitions. All the observed luminescence emission lines shift toward higher energy with increasing pressure at the same rate. The nearly identical pressure coefficients of the two DAP emissions as compared to that of the exciton emission confirm the suggestion that the recombination processes associated with the DAPs involve one shallow effective-mass donor and two different acceptor species with different binding energies and related to two different native defects. (C) 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
机译：我们介绍了通过金属有机气相外延在GaAs衬底上生长的CuGaSe2膜的压力依赖性光致发光（PL）研究的结果。在大气压下测量的CuGaSe2样品的低温PL光谱主要由一条近带边缘激子发光线和两条与施主受体对（DAP）跃迁相关的强且相对较宽的发射所控制。随着压力的增加，所有观察到的发光线都以相同的速率向更高的能量移动。与激子发射相比，两种DAP发射的压力系数几乎相同，这表明与DAP相关的重组过程涉及一个浅的有效质量供体和两个具有不同结合能的不同受体物种，并且涉及两个不同的固有缺陷。 （C）2004 WILEY-VCH Verlag GmbH＆Co. KGaA，Weinheim。

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